IRFDC20PBF价格

参考价格:¥2.9034

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRFDC20PBF

Power MOSFET

VDS (V) 600 RDS(on) (Ω) VGS = 10 V 4.4 Qg (Max.) (nC) 18 Qgs (nC) 3.0 Qgd (nC) 8.9 Configuration Single DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFDC20PBF

Power MOSFET

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IRFDC20PBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFDC20PBF

  • 功能描述

    MOSFET N-Chan 600V 0.32 Amp

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-3-1 16:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VishayIR
24+
4-DIP
2203
原厂
2540+
CLCC18
6852
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
IR
25+
DIP4
3652
全新原装正品支持含税
IR
三年内
1983
只做原装正品
IR
23+
DIP
7000
VISHAY(威世)
2447
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200
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23+
65480

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