型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRFD213

0.6AAND0.45A,150VAND200V,1.5AND2.4OHM,N-CHANNELPOWERMOSFETS

TheseareadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switching

HARRIS

HARRIS corporation

HARRIS

5횞20mmtime-LagsurgewithstandglassbodycartridgefusedesignedtoIECspecification

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LittelfuseLittelfuse Inc.

力特力特公司

Littelfuse

High-TemperatureMaskingTape

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3MMinnesota Mining and Manufacturing

明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司

3M

M8Male4PinFieldAttachable

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ALPHAWIREAlpha Wire

阿尔法电线

ALPHAWIRE

M8Male4PinFieldAttachable

文件:200.16 Kbytes Page:2 Pages

ALPHAWIREAlpha Wire

阿尔法电线

ALPHAWIRE

ClassH/K,JandRferruleandbladefusereducers

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EATONEaton All Rights Reserved.

伊顿伊顿公司

EATON

IRFD213产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFD213

  • 功能描述

    MOSFET N-Chan 200V 0.6 Amp

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-14 9:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IRF
23+
NA
19960
只做进口原装,终端工厂免费送样
Vishay
NEW-
MOSFETs
100000
Trans MOSFET N-Ch 200V 0.6A 4-Pin HVMDIP
IR
23+
HEXDIP
19526
IR
21+
DIP-4
10000
原装现货假一罚十
IR
22+
DIP-4
8000
原装正品支持实单
IR
2020+
TO-252
16800
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!?
INFINEON/英飞凌
23+
DIP-4
89630
当天发货全新原装现货
HARRIS(哈利斯)
23+
HVMDIP4
6000
IR
01+
DIP-4
14600
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微
IR
01+
DIP-4
14600
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

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