型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRFD213

0.6A AND 0.45A, 150V AND 200V, 1.5 AND 2.4 OHM, N-CHANNEL POWER MOSFETS

These are advanced power MOSFET designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode of operation. These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors designed for applications such as switching regulators, switching

HARRIS

IRFD213

(IRFD210 - IRFD213) N Channel Power MOSFETs

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5횞20mm time-Lag surge withstand glass body cartridge fuse designed to IEC specification

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3M

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ALPHAWIRE

M8 Male 4 Pin Field Attachable

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ALPHAWIRE

IRFD213产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFD213

  • 功能描述

    MOSFET N-Chan 200V 0.6 Amp

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-21 17:19:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
DIP-4
68500
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
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23+
65480
IR
NEW
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代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订
VISHAY/威世
24+
NA/
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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主营原装MOS,二三级管,肖特基,功率场效应管
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06+
原厂原装
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