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IRFBC20LPBF

HEXFET Power MOSFET

Description Third generation HEXFETs from international Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The D2Pak is a surface mount power package capable ofthe accommodatingdie sizes up to HEX-4. It

IRF

IRFBC20LPBF

Power MOSFET

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFBC20LPBF

Power MOSFET

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IRFBC20LPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFBC20LPBF

  • 功能描述

    MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-5-20 22:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FSC
23+
NA
6500
全新原装假一赔十
IR
24+
TO-262
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
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05+
TO-262
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23+
TO-262
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原厂原装正品

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