IRF9Z34NPB价格

参考价格:¥1.8509

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

HEXFET짰 POWER MOSFET

HEXFET® Power MOSFET

IRF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件:246.05 Kbytes Page:9 Pages

IRF

AUTOMOTIVE GRADE Advanced Planar Technology

Description Specifically designed for Automotive applications, this cellular design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power

IRF

Advanced Planar Technology

Features • Advanced Planar Technology • P-Channel MOSFET • Dynamic dV/dT Rating • 175°C Operating Temperature • Fast Switching • Fully Avalanche Rated • Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax • Lead-Free, RoHS Compliant • Automotive Qualified*

KERSEMI

Advanced Process Technology

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IRF

Mini size of Discrete semiconductor elements

文件:468.13 Kbytes Page:10 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

P-Channel MOSFET Transistor

文件:335.54 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

IRF9Z34NPB产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF9Z34NPB

  • 功能描述

    MOSFET MOSFT PCh -55V -17A 100mOhm 23.3nC

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-4 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
24+
TO-220
67048
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
IR
2016+
TO-220
6000
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23+
SOP
12000
全新原装假一赔十
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24+/25+
1975
原装正品现货库存价优
IR
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TO-220
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保证进口原装现货假一赔十
IR
23+
TO-220
22000
原装现货假一罚十
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23+
NA
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10年以上分销经验原装进口正品,做服务型企业
VISHAY
24+
TO-220
12000
VISHAY专营进口原装现货假一赔十

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    IRF9540PBF

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  • IRFB3607PBF

    INFINEON/英飞凌 场效应管 IRFB3607PBF

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  • IRF9Z24NPBF

    深圳市科恒伟业电子有限公司 深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱:yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生

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  • IRFB3607PBF

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