IRF9Z24NSTRL价格

参考价格:¥4.1290

型号:IRF9Z24NSTRLPBF 品牌:International 备注:这里有IRF9Z24NSTRL多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IRF9Z24NSTRL批发/采购报价,IRF9Z24NSTRL行情走势销售排行榜,IRF9Z24NSTRL报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

POWERMOSFET

Description ThirdGenerationHEXFETsInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissi

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

P-CHANNELPOWERMOSFETs

FEATURES •LowerRDS(ON) •Improvedinductiveruggedness •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowerinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightmeperaturereliability

SamsungSamsung Group

三星三星半导体

Samsung

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipa

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay

PowerMOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay

iscN-ChannelMOSFETTransistor

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ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

AdvancedProcessTechnology

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IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

IRF9Z24NSTRL产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF9Z24NSTRL

  • 功能描述

    MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2024-5-29 15:50:00
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