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IRF8308MTR1PBF

RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide

Description The IRF8308MPbF combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout

IRF

IRF8308MTR1PBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF8308MTR1PBF

  • 功能描述

    MOSFET 30V N-Channel HEXFET Power MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-17 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
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