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IRF820AS_V01

Power MOSFET

FEATURES • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Effective Coss specified • Material categorization: for definitions of compliance please see www.

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Power MOSFET

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威世科技威世科技半导体

更新时间:2025-8-7 11:40:00
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