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N-ChannelApplication-SpecificMOSFETs

Description ThisnewdeviceemploysadvancedHEXFETPowerMOSFETtechnologytoachieveanunprecedentedbalanceofon-resistanceandgatecharge.ThereducedconductionandswitchinglossesmakeitidealforhighefficiencyDC-DCconvertersthatpowerthelatestgenerationofmicroprocessors. •

IRF

International Rectifier

IRF

2.7Vto5.5V,350kSPS,10-Bit4-/8-ChannelSamplingADCs

GENERALDESCRIPTION TheAD7811andAD7812arehighspeed,lowpower,10-bitA/Dconvertersthatoperatefromasingle2.7Vto5.5Vsupply.Thedevicescontaina2.3µssuccessiveapproximationA/Dconverter,anon-chiptrack/holdamplifier,a2.5Von-chipreferenceandahighspeedserialinte

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亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

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2.7Vto5.5V,350kSPS,10-Bit4-/8-ChannelSamplingADCs

GENERALDESCRIPTION TheAD7811andAD7812arehighspeed,lowpower,10-bitA/Dconvertersthatoperatefromasingle2.7Vto5.5Vsupply.Thedevicescontaina2.3µssuccessiveapproximationA/Dconverter,anon-chiptrack/holdamplifier,a2.5Von-chipreferenceandahighspeedserialinte

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IRF7811WG产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF7811WG

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-7-31 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
24+
NA/
5250
原装现货,当天可交货,原型号开票
IR
25+
SO-8
860000
明嘉莱只做原装正品现货
IR
1948+
SOP8
6852
只做原装正品现货!或订货假一赔十!
IR
23+
8000
专注配单,只做原装进口现货
IR
11+
SO-8
2000
Infineon Technologies
22+
8SOIC
9000
原厂渠道,现货配单
IR
22+
SOP-8
8000
原装正品支持实单
IR
17+
SO-8
6200
100%原装正品现货
IR
21+
SOP8
12588
原装正品,自己库存 假一罚十
IR
24+
SO-8
65300
一级代理/放心购买!

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