IRF7807D1TR价格

参考价格:¥2.7287

型号:IRF7807D1TRPBF 品牌:International 备注:这里有IRF7807D1TR多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IRF7807D1TR批发/采购报价,IRF7807D1TR行情走势销售排行榜,IRF7807D1TR报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRF7807D1TR

MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

Infineon

英飞凌

MOSFET / SCHOTTKY DIODE

Description The FETKY™ family of Co-Pack HEXFETMOSFETs and Schottky diodes offers the designer an innovative, board space saving solution for switching regulator and power management applications. HEXFET power MOSFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance

IRF

MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

Infineon

英飞凌

FETKY MOSFET / SCHOTTKY DIODE

Description The FETKY™ family of Co-Pack HEXFET® MOSFETs and Schottky diodes offers the designer an innovative, board space saving solution for switching regulator and power management applications. HEXFET power MOSFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance

IRF

Low Conduction Losses

文件:173.42 Kbytes Page:8 Pages

IRF

IRF7807D1TR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF7807D1TR

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    FETKY™

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-11-19 20:13:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR/INFINEON
02+
SOP8
7727
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
IR
24+
NA/
4000
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
IRF
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SOP-8
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Infineon
原厂封装
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I/R
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SMD
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NA
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INFINEON/IR
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SOP8
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IR
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SOP8
8000
原装正品支持实单
IR
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SOP8
12500
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