型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRF7426TR

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 包装:卷带(TR) 描述:MOSFET N-CH 20V 8SO 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

INFINEON

英飞凌

IRF7426TR

MOSFET N-CH 20V 8-SOIC

INFINEON

英飞凌

30V N-Channel MOSFET

General Description The AON7426 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch and battery protection applications. Product Summary VDS 30V ID (at VGS=10V)

AOSMD

万国半导体

Quad 2-Input NAND Gates with High Voltage Open-Collector Outputs

General Description This device contains four independent gates each of which performs the logic NAND function. The open-collector outputs require external pull-up resistors for proper logical operation.

FAIRCHILD

仙童半导体

Quad 2-Input NAND Gates with High Voltage Open-Collector Outputs

General Description This device contains four independent gates each of which performs the logic NAND function. The open-collector outputs require external pull-up resistors for proper logical operation.

FAIRCHILD

仙童半导体

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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ANALOGPOWER

ML (AZ7) Limit Switch

文件:698.07 Kbytes Page:20 Pages

PANASONIC

松下

IRF7426TR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF7426TR

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 20V 8-SOIC

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2026-3-2 11:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IRF
23+
SOP-8
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
24+
N/A
65000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
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150000
全新原装,绝对正品,公司大量现货供应.
IR
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