型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRF7423TR

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 包装:卷带(TR) 描述:MOSFET N-CH 30V 8-SOIC 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

Infineon

英飞凌

IRF7423TR

MOSFET N-CH 30V 8-SOIC

Infineon

英飞凌

MachFlex™, 31G C #16 Str BC, PVC-NYL Ins, OA TC Brd, TPE Jkt, TPE Jkt,1000V WTTC, 600V TC-ER

Product Description MachFlex™ for High Flex, 3+1G Conductor 16AWG (26x30) Bare Copper, PVC-NYL Insulation, Overall Tinned Copper Braid(85%) Shield, TPE Inner Jacket, TPE Outer Jacket, 1000V WTTC, 600V TC-ER

BELDEN

百通

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

DESCRIPTION The AM7423 is available in DFN8(3.3x3.3) package. FEATURES  -20V/-95A, RDS(ON) = 3.6mΩ(max.) @ VGS =-10V RDS(ON) = 4.6mΩ(max.) @ VGS =-4.5V RDS(ON) = 7mΩ(max.) @ VGS =-2.5V RDS(ON) = 10mΩ(max.) @ VGS =-1.8V  HBM ESD protection level of 2.3kV typical  100 UIS + RG Tested

AITSEMI

创瑞科技

20V P-Channel MOSFET

General Description The AON7423 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON) . This device is ideal for load switch and battery protection applications. Product Summary VDS -20

AOSMD

万国半导体

OR module

文件:74.5 Kbytes Page:1 Pages

FESTOFesto Corporation.

费斯托费斯托(中国)有限公司

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

文件:107.8 Kbytes Page:3 Pages

AnalogPower

IRF7423TR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF7423TR

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 30V 8-SOIC

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-12-28 13:28:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
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SO-8
8000
原装正品支持实单

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