IRF7313价格

参考价格:¥1.6489

型号:IRF7313PBF 品牌:INTERNATIONAL 备注:这里有IRF7313多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IRF7313批发/采购报价,IRF7313行情走势销售排行榜,IRF7313报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRF7313

HEXFET POWER MOSFET

HEXFET Power MOSFET

IRF

IRF7313

Dual N Channel MOSFET

Features VDs(V=30V RpsoN)

EVVOSEMI

翊欧

IRF7313

采用 SO-8 封装的 30V 双 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET

Infineon

英飞凌

Dual N Channel MOSFET

Features VDs(V=30V RpsoN)

EVVOSEMI

翊欧

GENERATION V TECHNOLOGY

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IRF

Generation V Technology

文件:210.74 Kbytes Page:7 Pages

IRF

HEXFET Power MOSFET

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IRF

GENERATION V TECHNOLOGY

文件:210.75 Kbytes Page:7 Pages

IRF

30V 双 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装

Infineon

英飞凌

Industry-standard pinout SO-8 Package

文件:210.58 Kbytes Page:7 Pages

IRF

Industry-standard pinout SO-8 Package

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IRF

HEXFET Power MOSFET

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IRF

HEXFET Power MOSFET

Infineon

英飞凌

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.06814 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

Generation V Technology

文件:210.74 Kbytes Page:7 Pages

IRF

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.06806 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

150mA, Low Quiescent Current, Fast Transient Low Dropout Linear Regulator

Description The AP7313 is a 150mA, fixed output voltage, low dropout linear regulator. The device included pass element, error amplifier, band-gap, current limit and thermal shutdown circuitry. Features • 150mA Low Dropout Regulator in 3-pin package • Very low IQover full load: 65µA

DIODES

美台半导体

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features • 30V/6A, RDS(ON)=21mΩ(typ.) @ VGS=10V RDS(ON)=27mΩ(typ.) @ VGS=4.5V • Super High Dense Cell Design for Extremely Low RDS(ON) • Reliable and Rugged • SO-8 Package Applications • Power Management in Notebook Computer, Portable Equipment and Battery

ANPEC

茂达电子

Touch panels with STN/FSTN or TFT display

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PhoenixPHOENIX CONTACT

菲尼克斯德国菲尼克斯电气集团

Dial Thickness Gages

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Mitutoyo

Wire-Thread-Inserts

文件:102.37 Kbytes Page:3 Pages

V-COIL

IRF7313产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF7313

  • 功能描述

    MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 阵列

  • 系列

    HEXFET®

  • 产品目录绘图

    8-SOIC Mosfet Package

  • 标准包装

    1

  • 系列

    - FET

  • 2 个 N 沟道(双) FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    - 功率 -

  • 最大

    1.4W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    PowerPAK? SO-8

  • 供应商设备封装

    PowerPAK? SO-8

  • 包装

    Digi-Reel®

  • 产品目录页面

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    SI7948DP-T1-GE3DKR

更新时间:2025-11-20 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON
100000
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IR
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