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IRF7303TRPBF-TP

Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

GENERAL FEATURES @ Ros(oN =35 mO@VGS=10V ® Ros =45 mO@VGS=4.5V ‘@ Super high density cell design for extremely low Ros(oN) ® Exceptional on-resistance and maximum DC curent capability

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更新时间:2025-11-18 22:50:00
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