型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRF6608TR1

Application Specific MOSFETs

Description The IRF6608 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a MICRO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout

IRF

IRF6608TR1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF6608TR1

  • 功能描述

    MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-9-28 9:48:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
23+
SMD
50000
全新原装正品现货,支持订货
IR
21+
SMD
20000
全新原装 公司现货 价优
IR
2023+
QFN54
1172
专注全新正品,优势现货供应
IR
2223+
QFN54
26800
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
IOR
24+
QFN/5*4
90000
一级代理商进口原装现货、价格合理
IRF6608TR1
81535
81535
IR
24+
SMD
26200
原装现货,诚信经营!
IR
24+
65230
IR
13+
MOSFET
2258
原装分销
IR
21+
DIRECTFET
30000
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税

IRF6608TR1数据表相关新闻