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IRF6608TR1

Application Specific MOSFETs

Description The IRF6608 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a MICRO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout

IRF

IRF6608TR1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF6608TR1

  • 功能描述

    MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-21 16:20:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IRF6608TR1
25+
81535
81535
IR
25+
铁面
18000
原厂直接发货进口原装
IR
2023+
QFN54
1172
专注全新正品,优势现货供应
IR
2223+
QFN54
26800
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
IR
23+
铁面
5000
原装正品,假一罚十
Infineon Technologies
22+
DirectFET? Isometric ST
9000
原厂渠道,现货配单
IR
22+
QFN5*4
8000
原装正品支持实单
IR
2447
SMD
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
Infineon Technologies
23+
原装
8000
只做原装现货
Infineon Technologies
23+
原装
7000

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