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POWERMOSFETP-CHANNEL(Vdss=-55V,Rds(on)=0.024ohm,Id=-55A*)

HEXFET®POWERMOSFETSURFACEMOUNT(SMD-1) FifthGenerationHEXFET®powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconunitarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesi

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International Rectifier

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更新时间:2025-7-29 16:50:01
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