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IRF1740G

HEXFET®PowerMOSFET

®IsolatedPackage ®HighVoitageIsolation=2.5KVRMS® ®SinktoLeadCreepageDist.=4.8mm ®Dynamicdv/dtRating ®LowThermalResistance Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesigner withthebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddev

IRFInternational Rectifier

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IRF

CoaxialSurgeProtector

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Bourns

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BK

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2A,LowDropout,CMOSLinearRegulator

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ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

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更新时间:2024-6-15 18:23:00
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