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位置：首页 > IC中文资料第5587页 > IRF101

IRF101价格

参考价格：￥2.6922

型号：IRF1010EPBF 品牌：INTERNATIONAL 备注：这里有IRF101多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRF101批发/采购报价，IRF101行情走势销售排行榜，IRF101报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRF101

N-ChannelPowerMOSFETs,27A,60-100V

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
IRF1010E

PowerMOSFET(Vdss=60V,Rds(on)=12mohm,Id=84A?

•AdvancedProcessTechnology •UltraLowOn-Resistance •Dynamicdv/dtRating •175°COperatingTemperature •FastSwitching •FullyAvalancheRated Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveex

IRFInternational Rectifier

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IRF
IRF1010EL

PowerMOSFET(Vdss=60V,Rds(on)=12mohm,Id=84A??

Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr

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IRF1010ELPBF

HEXFETPowerMOSFET

Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr

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IRF1010EPBF

HEXFET짰PowerMOSFET

Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,

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IRF1010ES

PowerMOSFET(Vdss=60V,Rds(on)=12mohm,Id=84A??

Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr

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IRF1010ESPBF

HEXFETPowerMOSFET

Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr

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IRF1010EZ

AUTOMOTIVEMOSFET

Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombi

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IRF1010EZ

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=8.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IRF1010EZL

AUTOMOTIVEMOSFET

Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombi

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IRF1010EZLPBF

AUTOMOTIVEMOSFET

Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombi

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IRF1010EZLPBF

AdvancedProcessTechnology

Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombi

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IRF1010EZPBF

AUTOMOTIVEMOSFET

Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombi

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IRF1010EZPBF

AdvancedProcessTechnology

Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombi

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IRF1010EZS

AUTOMOTIVEMOSFET

Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombi

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IRF1010EZS

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=8.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IRF1010EZSPBF

AdvancedProcessTechnology

Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombi

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IRF1010EZSPBF

AUTOMOTIVEMOSFET

Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombi

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IRF1010EZSTRLP

AdvancedProcessTechnology

Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombi

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IRF1010N

PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=11mohm,Id=85A??

VDSS=55V RDS(on)=11mΩ ID=85A‡ Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesig

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IRF1010NL

PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=11mohm,Id=85A??

Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p

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IRF1010NL

FullyAvalancheRated

Description TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthehighestpowercapabilityandthelowestpossibleonresistanceinanyexistingsurfacemountpackage.TheD2Pakissuitableforhighcurrentapplicationsbecauseofitslowinter

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KERSEMI
IRF1010NLPBF

HEXFET짰PowerMOSFET

Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p

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IRF1010NPBF

HEXFETPowerMOSFET

Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr

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IRF1010NPBF

AdvancedProcessTechnologyUltraLowOn-Resistance

Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KERSEMI
IRF1010NS

FullyAvalancheRated

Description TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthehighestpowercapabilityandthelowestpossibleonresistanceinanyexistingsurfacemountpackage.TheD2Pakissuitableforhighcurrentapplicationsbecauseofitslowinter

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KERSEMI
IRF1010NS

PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=11mohm,Id=85A??

Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p

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IRF1010NSPBF

HEXFET짰PowerMOSFET

Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p

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IRF1010Z

AUTOMOTIVEMOSFET

AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitc

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IRF1010Z

N-ChannelMOSFETTransistor

•DESCRITION •reliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤7.5mΩ •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperati

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IRF1010ZL

AUTOMOTIVEMOSFET

AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitc

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IRF1010ZS

AUTOMOTIVEMOSFET

AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitc

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IRF1018EPBF

HEXFETPowerMOSFET

Benefits ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ●EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications ●HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPowerSwitching

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IRF1018ESLPBF

HEXFETPowerMOSFET

Benefits ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ●EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications ●HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPowerSwitching

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IRF1018ESPBF

HEXFETPowerMOSFET

Benefits ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ●EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications ●HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPowerSwitching

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IRF1010

N-ChannelPowerMOSFET

文件：632.22 Kbytes Page：7 Pages

NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd

尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司

NELLSEMI
IRF1010E

N-ChannelMOSFETTransistor

文件：338.48 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IRF1010E

UltraLowOn-Resistance

文件：786.41 Kbytes Page：8 Pages

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KERSEMI
IRF1010ELPBF

AdvancedProcessTechnology

文件：227.87 Kbytes Page：11 Pages

IRFInternational Rectifier

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IRF
IRF1010EPBF

AdvancedProcessTechnologyUltraLowOn-Resistance

文件：3.12153 Mbytes Page：8 Pages

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KERSEMI
IRF1010ES

iscN-ChannelMOSFETTransistor

文件：263.33 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IRF1010ESPBF

AdvancedProcessTechnology

文件：227.87 Kbytes Page：11 Pages

IRFInternational Rectifier

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IRF1010ESPBF_15

AdvancedProcessTechnology

文件：227.87 Kbytes Page：11 Pages

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IRF1010EZ

N-ChannelMOSFETTransistor

文件：338.8 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IRF1010EZPBF

AdvancedProcessTechnology

文件：413.46 Kbytes Page：12 Pages

IRFInternational Rectifier

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IRF
IRF1010EZPBF_15

AdvancedProcessTechnology

文件：413.46 Kbytes Page：12 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF1010EZS

IscN-ChannelMOSFETTransistor

文件：299.58 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IRF1010N

N-ChannelMOSFETTransistor

文件：338.85 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IRF1010NLPBF

AdvancedProcessTechnology

文件：298.2 Kbytes Page：11 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

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IRF1010NLPBF

AdvancedProcessTechnology

文件：298.2 Kbytes Page：11 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF1010NPBF

AdvancedProcessTechnology

文件：231.48 Kbytes Page：8 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF1010NPBF_15

AdvancedProcessTechnology

文件：231.48 Kbytes Page：8 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF1010NS

iscN-ChannelMOSFETTransistor

文件：263.33 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IRF1010NSPBF

AdvancedProcessTechnology

文件：298.2 Kbytes Page：11 Pages

IRFInternational Rectifier

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IRF
IRF1010NSPBF

AdvancedProcessTechnology

文件：298.2 Kbytes Page：11 Pages

IRFInternational Rectifier

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IRF1010NSPBF_15

AdvancedProcessTechnology

文件：298.2 Kbytes Page：11 Pages

IRFInternational Rectifier

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IRF
IRF1010NSTRRPBF

AdvancedProcessTechnology

文件：298.2 Kbytes Page：11 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF1010ZLPBF

HEXFET짰PowerMOSFET

文件：359.06 Kbytes Page：13 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF1010ZLPBF

AdvancedProcessTechnology

文件：404.91 Kbytes Page：12 Pages

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IRF1010ZPBF

AdvancedProcessTechnology

文件：404.91 Kbytes Page：12 Pages

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IRF101产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF101

  • 制造商

    FAIRCHILD

  • 制造商全称

    Fairchild Semiconductor

  • 功能描述

    N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100V

IRF101供应商更多...

更新时间：2024-6-6 15:40:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市中联芯电子有限公司
IRF1018EPBF
IR
24+
TO-220AB
10000
只做原装欢迎含税交易,假一赔十,放心购买
询价
深圳市华斯顿科技有限公司
IRF1010EZLPBF
IR
22+23+
TO-262
15573
绝对原装正品全新进口深圳现货
询价
深圳宇航军工半导体有限公司
IRF1018ES
IR
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D2-Pak
74505
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂；
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中天科工半导体（深圳）有限公司
IRF1018ESTRLPBF
Infineon Technologies
24+
D2PAK
30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
询价
深圳市诺美思科技有限公司
IRF1010NPBF
Infineon Technologies
22+/23+
TO-220AB
7500
原装进口公司现货假一赔百
询价
上海鑫科润电子科技有限公司
IRF1018ES
IR
14+
TO263
6660
原装进口现货,一站式服务,可开17%增票18916238831
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深圳市深创辉科技有限公司
IRF1010E
IR
998
原装正品长期供货，如假包赔包换 徐小姐13714450367
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司
IRF1010NL
IR
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TO-262
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原装正品,假一罚十
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千层芯半导体(深圳)有限公司
IRF1010EPBF
VISHAY
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VISHAY专营进口原装现货假一赔十
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绿盛电子(香港)有限公司
IRF1018EPBF
IR
2018+
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    2020-4-18

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    IRA-S210ST01，全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.

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