| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
20 V, P-channel Trench MOSFET 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020M-6 (SOT1220-2) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Low threshold voltage • Trench MOSFET technology • Small | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司 |   | ||
High Voltage Switching Diode 文件：208.15 Kbytes Page：3 Pages | TSC 台湾半导体 | | ||
High Voltage Switching Diode 文件：199.7 Kbytes Page：4 Pages | TSC 台湾半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
20+ |
DFN22 |
32550 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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MAXIM/美信 |
23+ |
SOT23-6 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
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恩XP |
21+ |
6000 |
只做原装正品,卖元器件不赚钱交个朋友 |
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NEXPERIA/安世 |
21+ |
DFN2020MD6 |
19600 |
一站式BOM配单 |
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恩XP |
25+ |
N/A |
6000 |
原装，请咨询 |
|||
恩XP |
24+ |
N/A |
20000 |
原装进口正品 |
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NEXPERIA/安世 |
24+ |
DFN2020MD6 |
60000 |
||||
恩XP |
24+ |
N/A |
6000 |
现货 |
|||
恩XP |
25+ |
N/A |
8800 |
公司只做原装,详情请咨询 |
|||
恩XP |
23+ |
DFN |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
IRC19R0-J芯片相关品牌
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IRC19R0-J参数引脚图相关
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IRF1404PBF
进口代理
2025-4-2IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2022-2-7IRF1404ZPBF
深圳市科恒伟业电子有限公司 深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱：yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生
2020-4-18IRA-S210ST01
IRA-S210ST01，全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-2-17IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
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2020-1-12IR51H224-自激式半桥
特点 ·输出功率MOSFET在半桥配置 ·高侧栅极驱动器引导操作设计 ·自举二极管集成包（HD型） ·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50％的占空比匹配死区的1.2us ·内部振荡器具有可编程的频率 ·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰 ·微功率启动 说明 该IR51H（四）XXX是完整的高电压，高转速，selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，随着的HEXFET®功率MOSFET技术，使
2013-2-8
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