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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业	LOGO
IR51HD420	SELF-OSCILLATING HALF-BRIDGE Description The IR51H(D)XXX are complete high voltage, high speed, selfoscillating half-bridge circuits. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies, along with the HEXFET® power MOSFET technology, enable ruggedized single package construction. The front-end features a programmable oscill	IRF	IRF
IR51HD420	SELF-OSCILLATING HALF BRIDGE Description The IR51H(D)XXX are complete high voltage, high speed, selfoscillating half-bridge circuits. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies, along with the HEXFET® power MOSFET technology, enable ruggedized single package construction. The front-end features a programmable oscill	IRF	IRF
IR51HD420	POWIRLIGHTTM REFERENCE DESIGN : COMPACT BALLAST 文件：119.62 Kbytes Page：6 Pages	IRF	IRF
IR51HD420	封装/外壳：9-SIP，7 引线包装：卷带（TR）描述：IC HALF BRIDGE SELF-OSC 9-SIP 集成电路（IC）全半桥驱动器	Infineon 英飞凌	Infineon

IR51HD420供应商更多...

更新时间：2025-8-10 18:32:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市昌和盛利电子有限公司	IR51HD420	IR	23+	原厂封装	9896		询价
深圳市恒达亿科技有限公司	IR51HD420	IR	25+	SOP	3200	全新原装、诚信经营、公司现货销售	询价
深圳市一线半导体有限公司	IR51HD420		24+	SIP-7P	14		询价
深圳市纳艾斯科技有限公司	IR51HD420	IR	24+	ZIP7	80000	只做自己库存全新原装进口正品假一赔百可开13%增	询价
深圳市创新迹电子有限公司	IR51HD420	Infineon Technologies	23+	9-SIP,7 引线	7300	专注配单,只做原装进口现货	询价
天津市博通航睿技术有限公司	IR51HD420	Infineon Technologies	23+	原装	7000		询价
深圳市能元时代电子有限公司	IR51HD420	IR	23+		41158	##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术	询价
惠芯易购（深圳）科技有限公司	IR51HD420	Internationa	25+	9-SIP7	4258	原装正品价格优势	询价
深圳市威雅利发展有限公司	IR51HD420	IR	03+	ZSIP-7	4400	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市昊创电子有限公司	IR51HD420	Infineon/英飞凌	19+		68000	原装正品价格优势	询价

IRF1404PBF
进口代理
2025-4-2
IR3889MTRPBF
The IR3889 OptiMOSTM系列IPOL 是一款易于使用、完全集成的 DC-DC 降压稳压器。IR3889 具有板载 PWM 控制器和集成自举二极管的 OptiMOS™ MOSFET 是一种小尺寸解决方案，可提供高效的电力传输。此外，它采用快速恒定导通时间（COT）控制方案，简化了设计工作并实现了快速控制
2023-11-13
IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2022-2-7
IRA-S210ST01
IRA-S210ST01，全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-2-17
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
2020-1-12
IR51H224-自激式半桥
特点 ·输出功率MOSFET在半桥配置 ·高侧栅极驱动器引导操作设计 ·自举二极管集成包（HD型） ·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50％的占空比匹配死区的1.2us ·内部振荡器具有可编程的频率 ·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰 ·微功率启动说明该IR51H（四）XXX是完整的高电压，高转速，selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，随着的HEXFET®功率MOSFET技术，使
2013-2-8