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型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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SCHOTTKY RECTIFIER Description/Features This center tap Schottky rectifier has been optimized for very low forward voltage drop, with moderate leakage. The proprietary barrier technology allows for reliable operation up to 150° C junction temperature. Typical applications are in switching power supplies, converte | IRF | |||
SCHOTTKY RECTIFIER Features 150C TJ operation Center tap configuration Low forward voltage drop High purity, high temperature epoxy encapsulation for enhanced mechanical strength and moisture resistance High frequency operation Guard ring for enhanced ruggedness and long term reliability This is a Pb − Fre | SMCDIODE 桑德斯微电子 | |||
Schottky Rectifier FEATURES · High frequency operation · Low forward voltage drop APPLICATIONS · Converters · Switching power · Freewheeling diodes, and reverse battery protection | ISC 无锡固电 | |||
Schottky Rectifier, 2 x 20 A 文件:115.62 Kbytes Page:6 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | |||
SCHOTTKY RECTIFIER 文件:201.25 Kbytes Page:6 Pages | SMCSangdest Microelectronic (Nanjing) Co., Ltd 烧结金属 |
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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Vishay(威世) |
24+ |
标准封装 |
7416 |
原厂直销,大量现货库存,交期快。价格优,支持账期 |
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IR |
25+ |
SOT-263 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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IR/VISHAY |
22+ |
SOT263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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NA |
25+ |
原厂原封可拆样 |
54687 |
百分百原装现货 实单必成 |
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INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-220 |
20300 |
INFINEON/英飞凌原装特价40CTQ045PBF即刻询购立享优惠#长期有货 |
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VISHAY |
14+ |
TO-262 |
510 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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IR |
23+ |
SOT263/2.5 |
9988 |
全新原装现货QQ:3100163861手机16601719780张小姐 |
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IR |
1926+ |
TO-263 |
6852 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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VISHAY/威世 |
11+ |
TO-263 |
45 |
深圳原装无铅现货 |
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IR |
23+ |
NA |
248 |
专业电子元器件供应链正迈科技特价代理特价,原装元器件供应,支持开发样品 |
IR40CTQ045S规格书下载地址
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2023-11-13IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2022-2-7IRA-S210ST01
IRA-S210ST01,全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-2-17IRF130CHP1100,IRF1310N,IRF1310NL,IRF1310NS,IRF1404PBF
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2020-1-12IR3840MTRPBF正品原装品质假一赔十
瀚佳科技: 专业销售集成电路IC.单片.内存闪存.二三级管模块等电子元器件.欢迎询价购买。
2018-12-28IR51H224-自激式半桥
特点 ·输出功率MOSFET在半桥配置 ·高侧栅极驱动器引导操作设计 ·自举二极管集成包(HD型) ·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50%的占空比匹配死区的1.2us ·内部振荡器具有可编程的频率 ·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰 ·微功率启动 说明 该IR51H(四)XXX是完整的高电压,高转速,selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术,随着的HEXFET®功率MOSFET技术,使
2013-2-8
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