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芯片资料

精确

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
IR3842MPBF	HIGHLY EFFICIENT INTEGRATED 4A SYNCHRONOUS BUCK REGULATOR 文件：921.83 Kbytes Page：32 Pages	IRF	IRF
3842CM	CURRENT MODE PWM CONTROLLER General Description The AP3842C/3C/4C/5C are high performance fixed frequency current-mode PWM controller series. Features • Low Start-up Current: 50µA • Robust VREF Line/Load Regulation Low Line Regulation : 4mV Low Load Regulation : 4mV • High Stability of Reference Voltage o	BCDSEMI 新进半导体	BCDSEMI
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3842	3 x AA Ba ttery Holder with 2.1mm Plug 文件：441.61 Kbytes Page：3 Pages	Adafruit	Adafruit
3842	Connector, Adapter, N (M) To N (M) 文件：18.84 Kbytes Page：1 Pages	POMONA Pomona Electronics	POMONA
3842B	HIGH-PERFORMANCE CURRENT-MODE PWM CONTROLLERS 文件：343.19 Kbytes Page：21 Pages	TI 德州仪器	TI

IR3842MPBF供应商更多...

更新时间：2025-11-21 10:21:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	IR3842MTR1PBF	Infineon Technologies	25+	15-PowerVQFN	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
深圳市胜彬电子有限公司	IR3842MPBF	IR	22+	QFN	8000	原装正品支持实单	询价
惠芯易购（深圳）科技有限公司	IR3842MTR1PBF	Internationa	25+	PQFN5x6	4258	原装正品价格优势	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	IR3842MTR1PBF	Infineon Technologies	24+	PQFN(5x6)	65200	一级代理/放心采购	询价
深圳市芯皇电子有限公司	IR3842MTR1PBF	IR	23+	QFN	66600	专业芯片配单原装正品假一罚十	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	IR3842MPBF	IR	22+	QFN	6000	终端可免费供样,支持BOM配单	询价
深圳市佳斯泰科技有限公司	IR3842MTR1PBF	Infineon	22+	15-PowerVQFN	9000	原厂渠道,现货配单	询价
深圳市安罗世纪电子有限公司	IR3842MTR1PBF	INTERNATIONAL RECTIFIER	2023+	SMD	1315	安罗世纪电子只做原装正品货	询价
上海市鑫鸿达电子	IR3842MTR1PBF	International Rectifier	2022+		1	全新原装货期两周	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	IR3842MPBF	IR	23+	QFN	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价

IR3823AMTRPBF降压稳压器
IR3823AMTRPBF降压稳压器
2024-1-16
IR3889MTRPBF
The IR3889 OptiMOSTM系列IPOL 是一款易于使用、完全集成的 DC-DC 降压稳压器。IR3889 具有板载 PWM 控制器和集成自举二极管的 OptiMOS™ MOSFET 是一种小尺寸解决方案，可提供高效的电力传输。此外，它采用快速恒定导通时间（COT）控制方案，简化了设计工作并实现了快速控制
2023-11-13
IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2022-2-7
IR3840MTRPBF正品原装品质假一赔十
瀚佳科技：专业销售集成电路IC.单片.内存闪存.二三级管模块等电子元器件.欢迎询价购买。
2018-12-28
IR3570BMTRPBF原装进口现货假一罚十
瀚佳科技：专业销售集成电路IC.单片.内存闪存.二三级管模块等电子元器件.欢迎询价购买。
2018-12-28
IR51H224-自激式半桥
特点 ·输出功率MOSFET在半桥配置 ·高侧栅极驱动器引导操作设计 ·自举二极管集成包（HD型） ·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50％的占空比匹配死区的1.2us ·内部振荡器具有可编程的频率 ·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰 ·微功率启动说明该IR51H（四）XXX是完整的高电压，高转速，selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，随着的HEXFET®功率MOSFET技术，使
2013-2-8