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Common-DrainDualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription TheAON3812usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5Vwhileretaininga12VVGS(MAX)rating.ItisESDprotected.Thisdeviceissuitableforuseasauni-directionalorbi-directionalloadswi

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TTELEC
更新时间:2024-6-18 10:20:01
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