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IR2213C_8

High and Low Side Driver in Die form

Features •Floating channel designed for bootstrap operation •Fully operational to +1200 V •Tolerant to negative transient voltage •dV/dt immune •Gate drive supply range from 12 V to 20 V •Undervoltage lockout for both channels •3.3 V logic compatible •Separate logic supply range from 3.3 V

IRF

IR2213C_8

1200 V high- and low-side gate driver IC bare die for IGBT and MOSFET

Infineon

英飞凌

更新时间:2025-11-18 9:54:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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