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2184	DSPMicrocomputer GENERALDESCRIPTION TheADSP-2184isasingle-chipmicrocomputeroptimizedfordigitalsignalprocessing(DSP)andotherhighspeednumericprocessingapplications. TheADSP-2184combinestheADSP-2100familybasearchitecture(threecomputationalunits,dataaddressgeneratorsandaprogramseq	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADSP2184	DSPMicrocomputer GENERALDESCRIPTION TheADSP-2184isasingle-chipmicrocomputeroptimizedfordigitalsignalprocessing(DSP)andotherhighspeednumericprocessingapplications. TheADSP-2184combinestheADSP-2100familybasearchitecture(threecomputationalunits,dataaddressgeneratorsandaprogramseq	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
2184	UniversalBushings 文件：105.3 Kbytes Page：1 Pages	Heyco Heyco
2184SP	Open/ClosedUniversalBushings 文件：105.53 Kbytes Page：1 Pages	Heyco Heyco
A2184	HighVoltageSwitchingApplications 文件：213 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝

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更新时间：2024-4-19 8:30:03

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深圳市纳立科技有限公司	21848-900-EPT		三年内		1983	纳立只做原装正品13590203865	询价
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2021-12-22
IR2304STRPBF，IR3080MTRPBF，IR3037ATRPBF，IR2184STRPBF
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2020-1-10
IR2184PBF公司大量原装正品现货/随时可以发货！
瀚佳科技(深圳)有限公司专业为工厂一站式BOM配单服务
2019-5-6
IR2302-高端和低端驱动器
说明在IR2302（S）的高电压，高转速功率MOSFET和IGBT驱动器的依赖高，低侧参考输出渠道。专有的HVIC和闩锁的CMOS技术，使免疫耐用单片建设。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低司机跨导。浮动通道可用于驱动高侧配置中的运行一个N沟道功率MOSFET或IGBT最多600伏。...特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从5至20V•欠压锁定
2013-2-9
IR2233-3相桥驱动器
特点•浮动通道设计为引导操作充分运作，以600V或1200V耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10V/12V至20V直流和高达25V的瞬态•所有通道欠压锁定•过电流关闭关闭所有六名司机•独立的3个半桥式驱动器•匹配的所有通道传播延迟•兼容2.5V的逻辑•产出与投入的逐步淘汰•也可用无铅说
2013-2-9
IR21834-半桥驱动器
说明在IR2183（4）（S）的高电压，高速功率MOSFET和IGBT与司机相关的高，低侧参考输出通道。专有HVIC和闩锁免疫坚固耐用的CMOS技术使单片建设。该逻辑输入与标准兼容CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低司机跨导。浮动通道可用来驱动高侧配置中的一个N沟道功率MOSFET或IGBT它可在高达600伏。特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10至20V•欠
2013-2-9

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