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参考价格：￥12.2245

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IR21814SPBF	HIGH AND LOW SIDE DRIVER Description The IR2181(4)(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable rugge dized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS	IRF	IRF
IR21814SPBF	HIGH AND LOW SIDE DRIVER Description The IR2213(S) is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTT	IRF	IRF
IR21814SPBF	封装/外壳：14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）包装：管件描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC 集成电路（IC）栅极驱动器	Infineon 英飞凌	Infineon
AUIRS21814S	Floating channel designed for bootstrap operation 文件：670.7 Kbytes Page：22 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
AUIRS21814S	HIGH- AND LOW-SIDE DRIVER 文件：872.38 Kbytes Page：22 Pages	IRF	IRF
AUIRS21814STR	HIGH- AND LOW-SIDE DRIVER 文件：872.38 Kbytes Page：22 Pages	IRF	IRF
DGD21814	HIGH-SIDE AND LOW-SIDE GATE DRIVER IN SO14 文件：687.76 Kbytes Page：11 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DGD21814M	HIGH-SIDE AND LOW-SIDE GATE DRIVER 文件：577.59 Kbytes Page：11 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

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更新时间：2025-12-31 12:47:00

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IR21814STRPBF 丝印IR21814S 封装SOIC-8 栅极驱动芯片IC
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2019-5-6
IR2170-过电流传感IC
特点 •浮动通道高达+600 V •单片集成 •通过分流电阻感应的过流 •低IQBS允许自举电源 •独立快速1μsec过电流跳闸信号 •高共模噪声抑制能力 •输入过电压保护IGBT短路条件 •打开漏输出 IR2170（S）是单片设计过电流传感IC电机驱动应用。感应电机相电流通过一个外置分流电阻器，检测过流条件，和转让的信号偏低。 IR专有的高压隔离技术实施，使高带宽信号处理。
2012-12-5