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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Customer Specification Construction 1) Conductor a) Material Tinned Copper, per ASTMB-33 and CID-A-A-59551 b) Stranding Solid c) Diameter 0.0063 2) Braid Data a) Nominal ID 1/16 b) AWG of Ends 34 c) Number of Carriers 16 d) Nominal Percent Coverage 70 e) Total Number of Ends 32 f) Approx. Equiv. AWG 19 g) Ap | ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线 |   | ||
Fast Ethernet Cat5e Data Double-Ended Cordset Product Description Fast Ethernet Cat5e Data Double-Ended Cordset: Male straight RJ45-coded black RJ45 Field Attachable to male straight RJ45-coded black RJ45 Field Attachable, shielded, 30 V AC / 42 V DC, 1.5 A; TPE green cable, 4-wires, 0.38 mm² | BELDEN 百通 | | ||
Extra Dome Plugs 文件：151.58 Kbytes Page：1 Pages | HeycoHeyco. 海科 | | ||
Fieldbus, 16 Pr #16 Str TC, XLPO Ins, IS/OS, TPE Jkt, 600V TC-ER 文件：262.69 Kbytes Page：3 Pages | BELDEN 百通 | | ||
LED MODIFIED DISPLAY AND DRIVER KIT 文件：168.78 Kbytes Page：1 Pages | ACIPOWER | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MOLEX/莫仕 |
25+ |
原厂原封可拆样 |
64687 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
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TE泰科 |
25+ |
胶壳 |
13250 |
原装正品现货供应商原厂货源渠道订货 |
|||
TE |
1316+ |
N/A |
3980 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
TRIQUINT |
2016+ |
BGA-576 |
6000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
MOLEX |
2450+ |
SOP |
6540 |
只做原厂原装正品终端客户免费申请样品 |
|||
METHODE |
23+ |
NA |
686 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
MOLEX |
23+ |
SMD |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
TE/泰科 |
24+ |
塑壳 |
5000 |
原装，正品 |
|||
JRC/新日本无线 |
23+ |
66600 |
专业芯片配单原装正品假一罚十 |
||||
TE CONNECTIVITY |
25+ |
Connector |
43200 |
原厂原装,价格优势 |
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2018-12-28IR2136-3相桥驱动器...
说明 该IR2136/IR21362/IR21363/IR21365/IR21366/IR21367/IR21368公司（J＆S）的高votage，高速功率MOSFET与三个独立的高，低侧IGBT驱动器中引用3相应用程序的输出渠道。专有的HVIC技术使整体建筑加固。逻辑输入与CMOS兼容或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑。一个电流脱扣功能，终止所有六个输出可从外部电流检测电阻。使能功能可终止所有六个输出同时进行。一个漏极开路的故障信号，表明提供过流或欠压关断发生。过流故障条件被清除后自动编程，通过一个外部RC网络的延迟连接到RCIN输入。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低
2013-2-9IR2117-单通道驱动器
IR2117/IR2118（S）是一种高电压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术，让坚固耐用单片式结构。逻辑输入兼容与标准CMOS输出。输出驱动器的功能专为高脉冲电流缓冲级最低跨导。浮动通道可以可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET或IGBT在高或低侧配置经营至600伏特。 特点 •浮动通道引导操作设计完全运作，以600 V容限来负瞬态电压的dV / dt的免疫 •门极驱动电源电压范围从10至20V •欠压锁定 •CMOS施密特触发输
2012-11-13
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