| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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Integrated Circuit NMOS, 1K Static RAM (SRAM), 350ns Description: The NTE2101 is a high–speed 1024 x 1 bit static random access read/write memory in a 16–Lead DIP type package designed using N–Channel depletion mode silicon gate technology. Static storage cells eliminate the need for clock or refresh circuitry. Low threshold silicon gate N–Cha | NTE |   | ||
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IR2011STRPBF 栅极驱动器
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2024-11-26IR2103STRPBF
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2023-4-14IR2101STRPBF
SOT-23-5 MOSFET Gate Drivers SMD/SMT 门驱动器 , SOT-23-5 MOSFET Gate Drivers SMD/SMT 门驱动器 , MP6528 门驱动器 , 1 Output 1 Driver 门驱动器 , SMD/SMT 门驱动器 , TSSOP-20 门驱动器
2021-9-10IR2104STRPBF
IR2104STRPBF
2021-8-9IR2085S-高速，100V的，自振荡50％的占空比，半桥式驱动器
说明 该IR2085S是自激式半桥和50％占空比驱动IC理想适合于36V-75V的半桥式DC总线转换器。本产品还适用于推挽没有根据输入电压的限制转换器。每个通道的频率为fOSC，其中fosc的逆转录可以通过选择和CT组，其中fosc的≈1 /（2 * RT.CT）。死区时间可控制，通过选择合适的CT范围可以从50到200nsec。内部软启动过程中增加了脉冲宽度电脉冲宽度，并保持在整个上升周期开始的高，低产出的匹配。该IR2085S在启动后，每过电流和电源软启动条件。欠压锁定阻止如果VCC小于7.5Vdc操作。 特点 •简单的初
2013-2-10IR2103-半桥驱动器
说明 在IR2103（S）的高电压，高速动力供养高，MOSFET和IGBT驱动器低侧参考输出通道。专有的HVIC免疫和闩锁的CMOS技术使坚固耐用单片建设。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计为最小驱动器跨导。浮动通道可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET在高端配置的可在高达600伏或IGBT。 特点 •浮动通道设计为引导操作+600 V全面运作耐瞬态电压负dV / dt的免疫 •门极驱动电压范围从10至20V •欠压锁定
2013-2-9
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