位置:首页 > IC中文资料 > IR143A

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

CASE 463-01, STYLE 1 SOT-416/SC-90

Bias Resistor Transistor PNP Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base–emitter resistor. These digital transi

MOTOROLA

摩托罗拉

PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR

This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base–emitter resistor. The

ONSEMI

安森美半导体

NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR

Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolit

ONSEMI

安森美半导体

High Voltage Operational Amplifier

文件:228.44 Kbytes Page:12 Pages

NSC

国半

High Voltage Operational Amplifier

文件:228.44 Kbytes Page:12 Pages

NSC

国半

更新时间:2026-5-24 23:36:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
UTC
24+
SOT23
56000
一级代理/全新原装现货/长期供应!
onsemi(安森美)
24+
SOT-723
6547
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
ROHM
2016+
SOT-346
30000
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
ROHM/罗姆
2019+
SOT-23
36000
原盒原包装 可BOM配套
ROHM
16+
SOT323
3000
进口原装现货/价格优势!
ROHM/罗姆
25+
原装
32000
ROHM/罗姆全新特价DTA143ZMT2L即刻询购立享优惠#长期有货
ROHM
21+
15000
UMT3 (SOT-323) (SC-70)
ROHM
25+
NA
9500
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
GME
2025+
SOT-23
5000
原装进口价格优 请找坤融电子!
ROHM/罗姆
2021+
SOT-323
9000
原装现货,随时欢迎询价

IR143A数据表相关新闻

  • IR2011STRPBF 栅极驱动器

    IR2011STRPBF

    2024-11-26
  • IR1KIT红外线温度计

    温度计有一个瞄准激光器,温度范围从 -4°F 到 +752°F

    2021-11-6
  • IQXO-79x系列表面贴装时钟振荡器LFSPXO056289REEL

    IQD的IQXO-79x系列表面贴装时钟振荡器提供3.3 V或1.8 V电压

    2019-11-21
  • IR1175-同步整流驱动

    特点 提供恒定的和适当的栅极驱动电源不论MOSFET的变压器输出 最大限度地减少损失功率MOSFET体漏极二极管的导通 单机操作 - 初级端没有任何联系 双脉冲抑制施密特触发输入允许在嘈杂的环境中运行 高电流驱动能力 - 2A型 高速运转 - 2MHz的 适应多种拓扑结构,如单端(未来,双端进) 说明 该IR1175是一款高速CMOS控制器设计以驱动N沟道功率MOSFET的使用为同步在大电流,高频率整流器前进转换器具有等于或低于5V直流

    2013-3-2
  • IR2085S-高速,100V的,自振荡50%的占空比,半桥式驱动器

    说明 该IR2085S是自激式半桥和50%占空比驱动IC理想适合于36V-75V的半桥式DC总线转换器。本产品还适用于推挽没有根据输入电压的限制转换器。每个通道的频率为fOSC,其中fosc的逆转录可以通过选择和CT组,其中fosc的≈1 /(2 * RT.CT)。死区时间可控制,通过选择合适的CT范围可以从50到200nsec。内部软启动过程中增加了脉冲宽度电脉冲宽度,并保持在整个上升周期开始的高,低产出的匹配。该IR2085S在启动后,每过电流和电源软启动条件。欠压锁定阻止如果VCC小于7.5Vdc操作。 特点 •简单的初

    2013-2-10
  • IR1210-双低侧驱动器

    IR1210是一个低电压,高速动力MOSFET和IGBT驱动器。专有闩锁免疫CMOS技术,让坚固耐用的单片建设。逻辑输入与标准兼容CMOS或LSTTL输出。输出驱动器配备高脉冲电流缓冲级,设计最小驱动器跨导。传播两个通道之间的延迟匹配。 特点 •门极驱动电源电压范围从6至20V •CMOS施密特触发输入上拉 •为两个通道相匹配的传播延迟 •输出与输入相

    2012-11-14