位置:首页 > IC中文资料 > IR133P

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

L-BAND SPDT SWITCH

DESCRIPTION UPG133G is an L-Band SPDT (Single Pole Double Throw) GaAs FET switch which was developed for digital cellular or cordless telephone application. The device can operate from 100 MHz to 2.5 GHz, having the low insertion loss. It housed in an original 8 pin SSOP that is smaller than us

NEC

瑞萨

L-BAND SPDT SWITCH

DESCRIPTION The UPG137GV and UPG138GV are L-Band Single Pole Double Throw (SPDT) GaAs MMIC switches developed for digital cellular, PCS, and WLAN applications. These devices feature wide bandwidth, low insertion loss, and high P1dB. The UPG137GV operates on a +3 to +5 V control voltage, while the

NEC

瑞萨

L-BAND SPDT SWITCH

DESCRIPTION µPG132G is an L-Band SPDT (Single Pole Double Throw) GaAs FET switch which was developed for digital cellular or cordless telephone application. The device can operate from 100 MHz to 2.5 GHz, having the low insertion loss. It housed in an original 8 pin SSOP that is smaller than us

NEC

瑞萨

3-Ampere Adjustable Negative Regulators

文件:268.49 Kbytes Page:10 Pages

NSC

国半

3-Ampere Adjustable Negative Regulators

文件:268.49 Kbytes Page:10 Pages

NSC

国半

更新时间:2026-5-24 16:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
24+
5000
有部份现货
NEC
23+
SSOP8
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
NEC
2450+
SSOP8
6540
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!

IR133P数据表相关新闻

  • IR2011STRPBF 栅极驱动器

    IR2011STRPBF

    2024-11-26
  • IR1KIT红外线温度计

    温度计有一个瞄准激光器,温度范围从 -4°F 到 +752°F

    2021-11-6
  • IQXO-79x系列表面贴装时钟振荡器LFSPXO056289REEL

    IQD的IQXO-79x系列表面贴装时钟振荡器提供3.3 V或1.8 V电压

    2019-11-21
  • IR1175-同步整流驱动

    特点 提供恒定的和适当的栅极驱动电源不论MOSFET的变压器输出 最大限度地减少损失功率MOSFET体漏极二极管的导通 单机操作 - 初级端没有任何联系 双脉冲抑制施密特触发输入允许在嘈杂的环境中运行 高电流驱动能力 - 2A型 高速运转 - 2MHz的 适应多种拓扑结构,如单端(未来,双端进) 说明 该IR1175是一款高速CMOS控制器设计以驱动N沟道功率MOSFET的使用为同步在大电流,高频率整流器前进转换器具有等于或低于5V直流

    2013-3-2
  • IR2085S-高速,100V的,自振荡50%的占空比,半桥式驱动器

    说明 该IR2085S是自激式半桥和50%占空比驱动IC理想适合于36V-75V的半桥式DC总线转换器。本产品还适用于推挽没有根据输入电压的限制转换器。每个通道的频率为fOSC,其中fosc的逆转录可以通过选择和CT组,其中fosc的≈1 /(2 * RT.CT)。死区时间可控制,通过选择合适的CT范围可以从50到200nsec。内部软启动过程中增加了脉冲宽度电脉冲宽度,并保持在整个上升周期开始的高,低产出的匹配。该IR2085S在启动后,每过电流和电源软启动条件。欠压锁定阻止如果VCC小于7.5Vdc操作。 特点 •简单的初

    2013-2-10
  • IR1210-双低侧驱动器

    IR1210是一个低电压,高速动力MOSFET和IGBT驱动器。专有闩锁免疫CMOS技术,让坚固耐用的单片建设。逻辑输入与标准兼容CMOS或LSTTL输出。输出驱动器配备高脉冲电流缓冲级,设计最小驱动器跨导。传播两个通道之间的延迟匹配。 特点 •门极驱动电源电压范围从6至20V •CMOS施密特触发输入上拉 •为两个通道相匹配的传播延迟 •输出与输入相

    2012-11-14