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General Purpose Silicon Rectifier

Description: The NTE125 is a general purpose silicon rectifier in a DO41 case designed for low power and switching applications.

NTE

CERMAX XENON ARC LAMPS

Description The Cermax® xenon arc lamp is an innovative lamp design in the specialty lighting industry. These lamps were introduced in the early 1980’s and are now used in endo-scopes in most major hospitals worldwide, in high brightness projection display systems, and for a wide variety of other

PERKINELMER

P-channel enhancement mode MOS transistor

DESCRIPTION P-channel enhancement mode MOS transistor in an 8-pin plastic SO8 (SOT96-1) package. FEATURES • High-speed switching • No secondary breakdown • Very low on-resistance. APPLICATIONS • Motor and actuator driver • Power management • Synchronized rectification.

PHILIPS

飞利浦

POWER TRANSISTORS(5.0A,60-100V,65W)

... designed for general−purpose amplifier and low−speed switching applications. FEATURES: • Collector−Emitter Sustaining Voltage − VCEO(sus) = 60 V (Min) − TIP120, TIP125 = 80 V (Min) − TIP121, TIP126 = 100 V (Min) − TIP122, TIP127 • Low Coll

MOSPEC

统懋

DARLINGTON 5 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors . . . designed for general–purpose amplifier and low–speed switching applications. • High DC Current Gain — hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc • Collector–Emitter Sustaining Voltage — @ 100 mAdc VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) — TIP12

MOTOROLA

摩托罗拉

更新时间:2026-5-24 23:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST(意法半导体)
24+
TO-220
942
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
长电
25+23+
TO-220-3L
24632
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ST(意法)
25+
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18798
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。
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TO-220
6200
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990
FAIRCHILD/仙童
24+
TO220
9600
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    特点 提供恒定的和适当的栅极驱动电源不论MOSFET的变压器输出 最大限度地减少损失功率MOSFET体漏极二极管的导通 单机操作 - 初级端没有任何联系 双脉冲抑制施密特触发输入允许在嘈杂的环境中运行 高电流驱动能力 - 2A型 高速运转 - 2MHz的 适应多种拓扑结构,如单端(未来,双端进) 说明 该IR1175是一款高速CMOS控制器设计以驱动N沟道功率MOSFET的使用为同步在大电流,高频率整流器前进转换器具有等于或低于5V直流

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  • IR2085S-高速,100V的,自振荡50%的占空比,半桥式驱动器

    说明 该IR2085S是自激式半桥和50%占空比驱动IC理想适合于36V-75V的半桥式DC总线转换器。本产品还适用于推挽没有根据输入电压的限制转换器。每个通道的频率为fOSC,其中fosc的逆转录可以通过选择和CT组,其中fosc的≈1 /(2 * RT.CT)。死区时间可控制,通过选择合适的CT范围可以从50到200nsec。内部软启动过程中增加了脉冲宽度电脉冲宽度,并保持在整个上升周期开始的高,低产出的匹配。该IR2085S在启动后,每过电流和电源软启动条件。欠压锁定阻止如果VCC小于7.5Vdc操作。 特点 •简单的初

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    IR1210是一个低电压,高速动力MOSFET和IGBT驱动器。专有闩锁免疫CMOS技术,让坚固耐用的单片建设。逻辑输入与标准兼容CMOS或LSTTL输出。输出驱动器配备高脉冲电流缓冲级,设计最小驱动器跨导。传播两个通道之间的延迟匹配。 特点 •门极驱动电源电压范围从6至20V •CMOS施密特触发输入上拉 •为两个通道相匹配的传播延迟 •输出与输入相

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