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IPW60R024P7

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 77A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 24mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co

ISC

无锡固电

IPW60R024P7

Optimized superjunction MOSFETs merging high energy efficiency with ease-of-use

Infineon

英飞凌

IPW60R024P7

600V CoolMOS짧 P7 Power Transistor

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Infineon

英飞凌

600V CoolMOS??P7 Power Transistor

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更新时间:2025-12-27 15:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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