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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤290mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  |   | |
CoolMOS??PowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •WorldwidebestRDS(on)inTO247 •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 |  | | |
N-Channel900-V(D-S)MOSFET KeyFeatures: •LowrDS(on)trenchtechnology •Lowthermalimpedance •Fastswitchingspeed | AnalogPower Analog Power |  | | |
CoolMOSTMPowerTransistorFeaturesNewrevolutionaryhighvoltagetechnologyExtremedv/dtrated 文件：683.83 Kbytes Page：11 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | | | |
CoolMOSTMPowerTransistor 文件：736.98 Kbytes Page：11 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飞凌 |
1926+ |
TO-220 |
6852 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
|||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-220F |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
INFINEON |
2023+ |
TO263 |
50000 |
现货特价 |
|||
Infineon(英飞凌) |
25+ |
标准封装 |
8800 |
公司只做原装,详情请咨询 |
|||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
|||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
标准封装 |
9548 |
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。 |
|||
INFINEON |
23+ |
TO-220F |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
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Infineon |
TO-247 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-247 |
7000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
16868 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
IPW17N80C3IC芯片相关品牌
IPW17N80C3IC规格书下载地址
IPW17N80C3IC参数引脚图相关
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STMicroelectronics采用M0T5VIPower技术的单片架构采用了QFN48L封装
2022-10-27IPS1011SPBF
原装正品现货
2022-5-18IPW60R041P6原装现货
IPW60R041P6原装正品
2021-8-11IPW60R080P7
IPW60R080P7，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-9-20IPW60R060P7
IPW60R060P7
2019-7-9IPS0151-完全保护的功率MOSFET开关
IPS0151/IPS0151S得到充分保护三端智能功率MOSFET，具有过电流，超温，防静电保护和漏源积极clamp.These器件结合一个HEXFET®功率MOSFET和栅极驱动器。他们提供全面的保护和在恶劣的环境中所需的高可靠性。该驱动程序允许开关时间短通过关闭提供有效的保护当温度超过165oC的功率MOSFET或当漏电流达到35A。该设备重新启动一次输入循环。雪崩活动能力显着增强夹具和覆盖最感性负载demagnetizations。特点•在温度关机•在当前的关机•有源钳位
2012-11-14
DdatasheetPDF页码索引
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