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OptiMOS??Power-Transistor

OptiMOS™3Power-Transistor Features •FastswitchingMOSFETforSMPS •OptimizedtechnologyforDC/DCconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Avalanche

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

OptiMOS??Power-MOSFET

OptiMOS™3Power-MOSFET Features •FastswitchingMOSFETforSMPS •OptimizedtechnologyforDC/DCconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel;Logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •

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英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

OptiMOS??Power-MOSFET

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

IPU090N03LGXK产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPU090N03LGXK

  • 制造商

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述

    Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-251

更新时间:2024-5-15 16:29:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON
2022+
DFN
57550
Infineon/英飞凌
23+
PG-TDSON-8
25630
原装正品
Infineon(英飞凌)
23+
N/A
589610
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理!
INFINEON/英飞凌
2022+
5000
6600
只做原装,假一罚十,长期供货。
INFINEON/英飞凌
新年份
DFN56
69850
一级代理原装正品现货,支持实单!
infineon/英飞凌
2021/2022+
NA
7000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
INFINEON/英飞凌
PQFN5X6
7906200
INFINEON-英飞凌
24+25+/26+27+
DFN-8.贴片
9328
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
Infineon
22+/23+
PG-TDSON-8-5
9800
原装进口公司现货假一赔百
INFINEON
20+/21+
TDSON-8
15000
全新原装现货

IPU090N03LGXK芯片相关品牌

  • BANNER
  • CHEMI-CON
  • CTMICRO
  • JUXING
  • LINER
  • MCC
  • Microchip
  • MINMAX
  • NEL
  • ROHM
  • SANYO
  • SEOUL

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    STMicroelectronics采用M0T5VIPower技术的单片架构采用了QFN48L封装

    2022-10-27
  • IPS1011SPBF

    原装正品现货

    2022-5-18
  • IPW60R041P6原装现货

    IPW60R041P6原装正品

    2021-8-11
  • IPW60R080P7

    IPW60R080P7,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-9-20
  • IPW60R060P7

    IPW60R060P7

    2019-7-9
  • IPS0151-完全保护的功率MOSFET开关

    IPS0151/IPS0151S得到充分保护三端智能功率MOSFET,具有过电流,超温,防静电保护和漏源积极clamp.These器件结合一个HEXFET®功率MOSFET和栅极驱动器。他们提供全面的保护和在恶劣的环境中所需的高可靠性。该驱动程序允许开关时间短通过关闭提供有效的保护当温度超过165oC的功率MOSFET或当漏电流达到35A。该设备重新启动一次输入循环。雪崩活动能力显着增强夹具和覆盖最感性负载demagnetizations。特点•在温度关机•在当前的关机•有源钳位

    2012-11-14