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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业	LOGO
IPSA70R360P7S	700V CoolMOS짧 P7 Power Transistor 文件：876.28 Kbytes Page：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD70R360P7S	700V CoolMOS짧 P7 Power Transistor Features •ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRDS(on)QgandRDS(on)Eoss •Excellentthermalbehavior •IntegratedESDprotectiondiode •Lowswitchinglosses(Eoss) •Productvalidationacc.JEDECStandard Benefits •Costcompetitivetechnology •Lowertemperature •HighESDruggedness •Enablesefficiencygainsath	Infineon 英飞凌	Infineon
IPA70R360P7S	700V CoolMOS짧 P7 Power Transistor 文件：923.7 Kbytes Page：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPAN70R360P7S	700V CoolMOS짧 P7 Power Transistor 文件：941.2 Kbytes Page：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPN70R360P7S	700V CoolMOS짧 P7 Power Transistor 文件：1.01492 Mbytes Page：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPS70R360P7S	700V CoolMOS짧 P7 Power Transistor 文件：932.53 Kbytes Page：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

IPSA70R360P7S供应商更多...

更新时间：2025-8-13 17:17:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市富利微电子科技有限公司	IPSA70R360P7S	Infineon/英飞凌	24+	PG-TO251-3	25000	原装正品,假一赔十!	询价
深圳市恒凯威科技开发有限公司	IPSA70R360P7S	Infineon/英飞凌	21+	PG-TO251-3	6820	只做原装,质量保证	询价
深圳市振宏微科技有限公司	IPSA70R360P7S	Infineon/英飞凌	23+	PG-TO251-3	25630	原装正品	询价
深圳市创新迹电子有限公司	IPSA70R360P7S	Infineon/英飞凌	2022+	PG-TO251-3	48000	只做原装,原装,假一罚十	询价
深圳市祥瑞智科技有限公司	IPSA70R450P7S	INFINEON	25+	PG-TO251-3	6000	原厂原装,价格优势	询价
富凯科技(深圳）有限公司	IPSA70R360P7S	Infineon/英飞凌	24+	PG-TO251-3	8000	只做原装，欢迎询价，量大价优	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	IPSA70R360P7S	Infineon(英飞凌)	24+	TO-251	8850	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
深圳市中赛美电子科技有限公司	IPSA70R360P7S	Infineon/英飞凌	23+	PG-TO251-3	12700	买原装认准中赛美	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	IPSA70R360P7S	Infineon/英飞凌	2021+	PG-TO251-3	9600	原装现货，欢迎询价	询价
深圳市芯国创科技有限公司	IPSA70R360P7S	Infineon/英飞凌	2025+	PG-TO251-3	8000		询价

IPS1025HFQ 高压侧开关
STMicroelectronics 采用 M0T5 VIPower 技术的单片架构采用了 QFN48L 封装
2022-10-27
IPS1011SPBF
原装正品现货
2022-5-18
IPW60R041P6原装现货
IPW60R041P6原装正品
2021-8-11
IPW60R080P7
IPW60R080P7，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-9-20
IPW60R060P7
IPW60R060P7
2019-7-9
IPS0151-完全保护的功率MOSFET开关
IPS0151/IPS0151S得到充分保护三端智能功率MOSFET，具有过电流，超温，防静电保护和漏源积极clamp.These器件结合一个HEXFET®功率MOSFET和栅极驱动器。他们提供全面的保护和在恶劣的环境中所需的高可靠性。该驱动程序允许开关时间短通过关闭提供有效的保护当温度超过165oC的功率MOSFET或当漏电流达到35A。该设备重新启动一次输入循环。雪崩活动能力显着增强夹具和覆盖最感性负载demagnetizations。特点 •在温度关机 •在当前的关机 •有源钳位
2012-11-14