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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.01516 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 |   | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：288.56 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
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N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.01522 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | |
IPS20N03LG产品属性
- 类型
描述
- 型号
IPS20N03LG
- 功能描述
MOSFET N-KANAL POWER MOS
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
I |
25+ |
TO-252 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
VBsemi |
24+ |
TO-251 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
|||
INFIEON |
24+ |
SOT263-2.5 |
4 |
||||
Infineon |
24+ |
TO-252 |
27500 |
原装正品,价格最低! |
|||
VBsemi |
21+ |
TO-251 |
10065 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
SIEMENS |
02+ |
SOT-2.5 |
95 |
原装现货海量库存欢迎咨询 |
|||
SIEMENS |
24+ |
DIP-24 |
4231 |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
|||
I |
TO-252 |
22+ |
6000 |
十年配单,只做原装 |
|||
NK 南科功率 |
2025+ |
SOP-8 |
986966 |
国产 |
|||
SIEMENS |
24+ |
DIP-24 |
6540 |
原装现货/欢迎来电咨询 |
IPS20N03LG规格书下载地址
IPS20N03LG参数引脚图相关
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- j111
- j108
- isd1420
- irf630
- irf540n
- irf540
- ir2110
- ips面板
- IPSLAT
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- IPS7091
- IPS7081
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- IPS6021
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- IPS511G
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- IPS2041PBF
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IPS1025HFQ 高压侧开关
STMicroelectronics 采用 M0T5 VIPower 技术的单片架构采用了 QFN48L 封装
2022-10-27IPS1011SPBF
原装正品现货
2022-5-18IPW60R041P6原装现货
IPW60R041P6原装正品
2021-8-11IPW60R080P7
IPW60R080P7，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-9-20IPW60R060P7
IPW60R060P7
2019-7-9IPS0151-完全保护的功率MOSFET开关
IPS0151/IPS0151S得到充分保护三端智能功率MOSFET，具有过电流，超温，防静电保护和漏源积极clamp.These器件结合一个HEXFET®功率MOSFET和栅极驱动器。他们提供全面的保护和在恶劣的环境中所需的高可靠性。该驱动程序允许开关时间短通过关闭提供有效的保护当温度超过165oC的功率MOSFET或当漏电流达到35A。该设备重新启动一次输入循环。雪崩活动能力显着增强夹具和覆盖最感性负载demagnetizations。 特点 •在温度关机 •在当前的关机 •有源钳位
2012-11-14
DdatasheetPDF页码索引
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