位置：首页 > IC中文资料第9522页 > IPP80CN10N
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IPP80CN10N | OptiMOS짰2 Power-Transistor 文件：710.31 Kbytes Page：13 Pages | Infineon 英飞凌 |   | |
IPP80CN10N | isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.32 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | |
N-channel, normal level Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application • Ideal for high-frequency switching and synchr | Infineon 英飞凌 | | ||
N-channel, normal level Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application • Ideal for high-frequency switching and synchr | Infineon 英飞凌 | | ||
OptiMOS짰2 Power-Transistor 文件：710.31 Kbytes Page：13 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
OptiMOS2 Power-Transistor 文件：1.02675 Mbytes Page：12 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
N-channel, normal level 文件：1.03396 Mbytes Page：12 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
OptiMOS2 Power-Transistor 文件：1.02675 Mbytes Page：12 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.32 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
OptiMOS2 Power-Transistor 文件：1.02675 Mbytes Page：12 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
OptiMOS짰2 Power-Transistor 文件：710.31 Kbytes Page：13 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
OptiMOS2 Power-Transistor 文件：1.02675 Mbytes Page：12 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：305.46 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | |
IPP80CN10N产品属性
- 类型
描述
- 型号
IPP80CN10N
- 制造商
INFINEON
- 制造商全称
Infineon Technologies AG
- 功能描述
OptiMOS㈢2 Power-Transistor
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
22500 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
INFINEON |
21+ |
TO-220铁头 |
10 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
INFINEON |
20+ |
TO-220 |
38900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
INFINOEN |
25+ |
TO220 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
|||
INFINOEN |
24+ |
TO220 |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
Infineon |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
INFINEON |
25+23+ |
TO220 |
73549 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
|||
Infineon |
23+ |
TO-220 |
3100 |
绝对全新原装!优势供货渠道!特价!请放心订购! |
|||
INFINEON |
24+ |
na |
8866 |
||||
VBsemi |
23+ |
TO-220 |
10065 |
原装正品,有挂有货,假一赔十 |
IPP80CN10N规格书下载地址
IPP80CN10N参数引脚图相关
- ks20
- km710
- ka5q1265rf
- k9f1208
- k310
- k2698
- k233
- k2055
- k2010
- jumper
- jtag接口
- jk触发器
- j111
- j108
- isd1420
- irf630
- irf540n
- irf540
- ir2110
- ips面板
- IPS1011
- IPS042G
- IPS041L
- IPS032G
- IPS031S
- IPS031R
- IPS031G
- IPS031
- IPS024G
- IPS022G
- IPS021S
- IPS021L
- IPS021
- IPS0151
- IPRI6
- IPRI4
- IPRI2
- IPRI0
- IPRH2
- IPRH0
- IPP80N04S303
- IPP80N04S2L03AKSA1
- IPP80N04S2L-03
- IPP80N04S2L03
- IPP80N04S2H4AKSA1
- IPP80N04S2-H4
- IPP80N04S2H4
- IPP80N04S204XK
- IPP80N04S204AKSA1
- IPP80N04S2-04
- IPP80N03S4L-04
- IPP80N03S4L04
- IPP80N03S4L03AKSA1
- IPP80N03S4L-03
- IPP80N03S4L03
- IPP80CN10NGXKSA1
- IPP80CN10NGHKSA1
- IPP80CN10NG_10
- IPP80CN10NG
- IPP80CN10N G
- IPP77N06S309XK
- IPP77N06S3-09
- IPP77N06S212AKSA1
- IPP77N06S2-12
- IPP77N06S212
- IPP-7108
- IPP70P04P409AKSA1
- IPP70P04P4-09
- IPP70N10SL16AKSA1
- IPP70N10SL-16
- IPP70N10SL16
- IPP70N10S3L12AKSA1
- IPP70N10S3L-12
- IPP70N10S312AKSA1
- IPP70N10S3-12
- IPP70N04S406AKSA1
- IPP70N04S4-06
- IPP70N04S307AKSA1
- IPP70N04S3-07
- IPP70N04S307
- IPM6220
- IPM300
- IPM-22W
- IPM-19
- IPM-17
- IPM-15
- IPM-12
- IPM-10
- IPM-08
- IPM-057
- IPLA-32
- IPL88
- IPL86
- IPL85
- IPL84
- IPL78
- IPL76
- IPL68
- IPL66
- IPL65
IPP80CN10N数据表相关新闻
IPP65R190CFD
进口代理
2023-12-7IPQC60R010S7XTMA1
IPQC60R010S7XTMA1
2023-7-4IPS1011SPBF
原装正品现货
2022-5-18IPP65R110CFDA INFINEON/英飞凌 21+ TO-220
https://hfx03.114ic.com/
2022-2-19IPP65R600C6优势原装Infineon局道
IPP65R600C6 优势原装Infineon局道
2019-3-27IPS0151-完全保护的功率MOSFET开关
IPS0151/IPS0151S得到充分保护三端智能功率MOSFET，具有过电流，超温，防静电保护和漏源积极clamp.These器件结合一个HEXFET®功率MOSFET和栅极驱动器。他们提供全面的保护和在恶劣的环境中所需的高可靠性。该驱动程序允许开关时间短通过关闭提供有效的保护当温度超过165oC的功率MOSFET或当漏电流达到35A。该设备重新启动一次输入循环。雪崩活动能力显着增强夹具和覆盖最感性负载demagnetizations。 特点 •在温度关机 •在当前的关机 •有源钳位
2012-11-14
DdatasheetPDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
- P98
- P99
- P100
- P101
- P102
- P103
- P104
- P105
- P106
- P107
