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IPP60R210CFD7

600V CoolMOS짧 CFD7 Power Transistor

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Infineon

英飞凌

IPP60R210CFD7

英飞凌对谐振高功率拓扑的回答

Infineon

英飞凌

MOSFET 600V CoolMOSª CFD7 Power Transistor

Features • Ultra-fast body diode • Low gate charge • Best-in-class reverse recovery charge (Qrr) • Improved MOSFET reverse diode dv/dt and diF/dt ruggedness • Lowest FOM RDS(on)*Qg and RDS(on)*Eoss • Best-in-class RDS(on) in SMD and THD packages

Infineon

英飞凌

600V CoolMOS짧 CFD7 Power Device

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英飞凌

600V CoolMOS짧 CFD7 Power Device

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英飞凌

更新时间:2025-10-1 22:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
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NA/
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Infineon
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10000
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Infineon(英飞凌)
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