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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
IPP-RB203-50	RESISTOR,50WATT,HALFFLANGE 文件：55.17 Kbytes Page：1 Pages	IPPInnovative Power Products, Inc. 创新电力创新电力产品股份有限公司
BUK203-50X	PowerMOStransistorTOPFEThighsideswitch DESCRIPTION MonolithictemperatureandoverloadprotectedpowerswitchbasedonMOSFETtechnologyina5pinplasticenvelope,configuredasasinglehighsideswitch. FEATURES •VerticalpowerDMOSswitch •Lowon-stateresistance •5Vlogiccompatibleinputwithhysteresis •Overtemperatu	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
BUK203-50Y	PowerMOStransistorTOPFEThighsideswitch DESCRIPTION MonolithictemperatureandoverloadprotectedpowerswitchbasedonMOSFETtechnologyina5pinplasticenvelope,configuredasasinglehighsideswitch. FEATURES •VerticalpowerDMOSswitch •Lowon-stateresistance •5Vlogiccompatibleinput •Overtemperatureprotection-	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
IPP-TB203-50	TERMINATION,50WATT,FLANGE 文件：58.67 Kbytes Page：1 Pages	IPPInnovative Power Products, Inc. 创新电力创新电力产品股份有限公司

IPP-RB203-50供应商更多...

更新时间：2024-6-22 11:02:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市明嘉莱科技有限公司	IPQ-4018-0-180DRQFN-MT-00-0	QUALCOMM	22+	SMD	518000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市莱克讯科技有限公司	IPP-TB222R-50	IPP	1923+	NA	1550	原盒原包装现货原装假一罚十价优	询价
深圳市瑞祥辉半导体有限公司	IPP-TB222R-50	IPP	2318+	原厂原包	6850	十年专业专注优势渠道商正品保证	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	IPQ-4018-0-180DRQFN	Qualcomm	23+	QFN	4231	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳宝隆芯业科技有限公司	IPQ-4018-0-180DRQFN	QUALCOMM/高通	22+	QFN	10000	只做原装开票可咨询	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	IPQ-4018-0-180DRFN-MT-00-0	QUALCOMM	24+	QFN	39500	进口原装现货支持实单价优	询价
深圳兆威电子有限公司	IPQ-4018-0-180DRQFN-MT-00-0	QUALCOMM	22+	NA	3900	原装正品支持实单	询价
深圳市正纳电子有限公司	IPQ-4018-0-180DRQFN-MT-00-0	Qualcomm(高通)	23+	NA	20094	正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持	询价
深圳市宇集芯电子有限公司	IPQ-4018-0-180DRQFN-MT-00-0	Qualcomm	24+	QFN	10000	原装正品	询价
深圳市芯巴巴科技有限公司	IPQ-4018-0-180DRQFN-MT-00-0	QUALCOMM/高通	23+	QFN180	10000	只做原装假一赔万	询价

IPP65R190CFD
进口代理
2023-12-7
IPQC60R010S7XTMA1
IPQC60R010S7XTMA1
2023-7-4
IPS1011SPBF
原装正品现货
2022-5-18
IPP65R110CFDA INFINEON/英飞凌 21+ TO-220
https://hfx03.114ic.com/
2022-2-19
IPP65R600C6优势原装Infineon局道
IPP65R600C6优势原装Infineon局道
2019-3-27
IPS0151-完全保护的功率MOSFET开关
IPS0151/IPS0151S得到充分保护三端智能功率MOSFET，具有过电流，超温，防静电保护和漏源积极clamp.These器件结合一个HEXFET®功率MOSFET和栅极驱动器。他们提供全面的保护和在恶劣的环境中所需的高可靠性。该驱动程序允许开关时间短通过关闭提供有效的保护当温度超过165oC的功率MOSFET或当漏电流达到35A。该设备重新启动一次输入循环。雪崩活动能力显着增强夹具和覆盖最感性负载demagnetizations。特点•在温度关机•在当前的关机•有源钳位
2012-11-14