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IPP-8050

OUTLINESMDCOUPLERBDC

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IPPInnovative Power Products, Inc.

创新电力创新电力产品股份有限公司

IPP

NPNEPITAXIALSILICONPLANARTRANSISTOR

GENERALDESCRIPTION The8050isanNPNepitaxialsiliconplanartransistordesignedforuseintheaudiooutputstageandconverter/invertercircuit.Complementaryto8550.

MICRO-ELECTRONICS

Micro Electronics

MICRO-ELECTRONICS

NPNTRANSISTOR

PowerDissipation Pcm:1.0W CollectorCurrent Icm:1.5A Collector-BaseVoltage Vcbo:45V

STANSONStanson Technology

Stanson 科技

STANSON

TO-92Plastic-EncapsulateTransistors

TO-92Plastic-EncapsulateTransistors

DAYADaya Electric Group Co., Ltd.

Daya Electric Group Co., Ltd.

DAYA

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandamplifierapplications. EspeciallysuitableforAF-driverstages andlowpoweroutputstages. Onspecialrequest,thesetransistorscanbe manufacturedindifferentpinconfigurations.

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

DGNJDZ

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION •WithSOT-23packaging •Highcollector-basevoltage •Lowsaturationvoltage •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •Audiooutputstageandconverters/inverterscircuits

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
更新时间:2024-4-25 10:18:00
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    原装正品现货

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    https://hfx03.114ic.com/

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    IPS0151/IPS0151S得到充分保护三端智能功率MOSFET,具有过电流,超温,防静电保护和漏源积极clamp.These器件结合一个HEXFET®功率MOSFET和栅极驱动器。他们提供全面的保护和在恶劣的环境中所需的高可靠性。该驱动程序允许开关时间短通过关闭提供有效的保护当温度超过165oC的功率MOSFET或当漏电流达到35A。该设备重新启动一次输入循环。雪崩活动能力显着增强夹具和覆盖最感性负载demagnetizations。特点•在温度关机•在当前的关机•有源钳位

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