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IPD90N10S4-06

N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID= 90A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 6.7Ω(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

IPD90N10S4-06

100 V、N 沟道、最大 6.7 mΩ、汽车 MOSFET、DPAK、OptiMOS ™ -T2

Infineon

英飞凌

IPD90N10S4-06

N-channel - Normal Level - Enhancement mode

文件:266.45 Kbytes Page:9 Pages

Infineon

英飞凌

更新时间:2025-11-8 10:39:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon/英飞凌
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25000
原装正品,假一赔十!
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