型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IPD90N06S4L-06

OptiMOS-T2 Power-Transistor

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Infineon

英飞凌

IPD90N06S4L-06

60 V、N 沟道、最大 6.3 mΩ、汽车 MOSFET、DPAK、OptiMOS ™ -T2

Infineon

英飞凌

IPD90N06S4L-06产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPD90N06S4L-06

  • 功能描述

    MOSFET N-Channel 60V MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-8 10:46:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NA
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10年以上分销经验原装进口正品,做服务型企业
INFINEON/英飞凌
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