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IPD90N04S3-H4

OptiMOS-T Power-Transistor

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Infineon

英飞凌

IPD90N04S3-H4

40 V、N沟道、最大4.3 mΩ、汽车MOSFET、DPAK、OptiMOS ™ -T

Infineon

英飞凌

IPD90N04S3-H4产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPD90N04S3-H4

  • 功能描述

    MOSFET N-Channel 40V MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-17 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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TO-252
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