型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IPD85P04P4L-06

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features Vos=-40V ID=-85 A ROS(ON)

TECHPUBLIC

台舟电子

IPD85P04P4L-06

-40V、P 沟道、最大 6.4mΩ、汽车 MOSFET、DPAK、OptiMOS ™ -P2

Infineon

英飞凌

IPD85P04P4L-06

OptiMOS-P2 Power-Transistor

文件:156.41 Kbytes Page:9 Pages

Infineon

英飞凌

IPD85P04P4L-06产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPD85P04P4L-06

  • 功能描述

    MOSFET MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-5 15:17:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
2526+
PG-TO252-3
50000
只做原装优势现货库存,渠道可追溯
Infineon(英飞凌)
23+
标准封装
7000
公司只做原装,可来电咨询
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PG-TO252-3
115000
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