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25V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

FEATURES • RDS(ON), VGS@10V,IDS@30A=9mΩ • RDS(ON), VGS@4.5V,IDS@30A=12mΩ • Advanced trench process technology • High Density Cell Design For Uitra Low On-Resistance • Specially Designed for DC/DC Converters and Motor Drivers • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

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IPD09N03LBGXT产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPD09N03LBGXT

  • 制造商

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述

    Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252

更新时间:2025-11-20 9:20:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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