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IPB123N10N3价格
参考价格：￥6.7316
型号：IPB123N10N3G 品牌：Infineon 备注：这里有IPB123N10N3多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IPB123N10N3批发/采购报价，IPB123N10N3行情走势销售排行榜，IPB123N10N3报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IPB123N10N3 | N-channel normal level 文件：635.62 Kbytes Page：11 Pages | Infineon 英飞凌 |   | |
N 沟道功率 MOSFET | Infineon 英飞凌 | | ||
OptiMOSTM3 Power-Transistor 文件：351.17 Kbytes Page：11 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
N-channel normal level 文件：635.62 Kbytes Page：11 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：189.36 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
N-channel normal level 文件：635.62 Kbytes Page：11 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
OptiMOSTM3 Power-Transistor 文件：351.17 Kbytes Page：11 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
N-channel normal level 文件：635.62 Kbytes Page：11 Pages | Infineon 英飞凌 | |
IPB123N10N3产品属性
- 类型
描述
- 型号
IPB123N10N3
- 功能描述
MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
- |
8262 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO263 |
2000 |
原装正品现货 假一罚十 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-263 |
11220 |
英飞凌优势原装IC,高效BOM配单。 |
|||
VB |
21+ |
PG-TO263-3 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
Infineon |
24+ |
NA |
3118 |
进口原装正品优势供应 |
|||
英飞翎 |
17+ |
D2PAK(TO-263) |
31518 |
原装正品 可含税交易 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
PG-TO263-3 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
D2PAK (TO-263) |
260873 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
2025+ |
TO263-3 |
3000 |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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IPB123N10N3规格书下载地址
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https://hfx03.114ic.com/
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2022-2-13
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