位置：首页 > IC中文资料 > IMW65R107M1H
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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IMW65R107M1H | 650 V CoolSiC짧 M1 SiC Trench Power Device 文件：1.46377 Mbytes Page：15 Pages | Infineon 英飞凌 |   | |
IMW65R107M1H | CoolSiC ™ MOSFET 650V – SiC MOSFET 采用 TO247 3 引脚封装，性能可靠且经济高效 | Infineon 英飞凌 | | |
包装：管件 描述：MOSFET 650V NCH SIC TRENCH 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | Infineon 英飞凌 | | ||
MOSFET 650 V CoolSiCª M1 SiC Trench Power Device Features • Optimized switching behavior at higher currents • Commutation robust fast body diode with low Qf • Superior gate oxide reliability • Tj,max=175°C and excellent thermal behavior • Lower RDS(on) and pulse current dependency on temperature • Increased avalanche capability • Compatib | Infineon 英飞凌 | | ||
650 V CoolSiC짧 M1 SiC Trench Power Device 文件：1.54264 Mbytes Page：15 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
650 V CoolSiC짧 M1 SiC Trench Power Device 文件：1.05155 Mbytes Page：15 Pages | Infineon 英飞凌 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
SOP48 |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
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ST |
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INFINEON |
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INFINEON |
23+ |
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Infineon/英飞凌 |
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Infineon(英飞凌) |
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源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
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Infineon/英飞凌 |
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2019-4-23
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