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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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IMW65R039M1H | 650 V CoolSiC짧 M1 SiC Trench Power Device 文件：1.41925 Mbytes Page：15 Pages | Infineon 英飞凌 |   | |
IMW65R039M1H | CoolSiC ™ MOSFET 650V – SiC MOSFET 采用 TO247 3 引脚封装，性能可靠且经济高效 | Infineon 英飞凌 | | |
MOSFET 650 V CoolSiCª M1 SiC Trench Power Device Features • Optimized switching behavior at higher currents • Commutation robust fast body diode with low Qf • Superior gate oxide reliability • Tj,max=175°C and excellent thermal behavior • Lower RDS(on) and pulse current dependency on temperature • Increased avalanche capability • Compatib | Infineon 英飞凌 | | ||
650 V CoolSiC짧 M1 SiC Trench Power Device 文件：1.58276 Mbytes Page：15 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
650 V CoolSiC짧 M1 SiC Trench Power Device 文件：1.43304 Mbytes Page：15 Pages | Infineon 英飞凌 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
|||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO247-3 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
|||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
- |
19850 |
原装正品,假一赔十 |
|||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
PG-TO247-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
|||
ST |
2526+ |
原厂封装 |
50000 |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83271686邹小姐 |
|||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
PG-TO247-3 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
|||
Infineon Technologies |
23+ |
TO-247-3 |
3652 |
原厂正品现货供应SIC全系列 |
|||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO-247 |
7814 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
Infineon |
24+ |
PG-TO247-3 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
|||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO247-3 |
8000 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
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