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IMW120R040M1H	CoolSiC??1200VSiCTrenchMOSFET:siliconcarbideMOSFET Features •VDSS=1200VatTvj=25°C •IDCC=55AatTvj=25°C •RDS(on)=39mΩatVGS=18V,Tvj=25°C •Verylowswitchinglosses •Shortcircuitwithstandtime3µs •Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.2V •Robustagainstparasiticturnon,0Vturn-offgatevoltageca	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
AIMBG120R040M1	CoolSiC™1200VSiCTrenchMOSFET Features •VDSS=1200VatTvj=-55...175°C •IDDC=54AatTC=25°C •RDS(on)=40mΩatVGS=20V,Tvj=25°C •Newperformance-optimizedchiptechnology(Gen1p)withimprovedRDSon*AFOM •Bestinclassswitchingenergyforlowerswitchinglossesandreducedcoolingefforts •Lowes	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
AIMZH120R040M1T	CoolSiC™1200VSiCTrenchMOSFET Features •VDSS=1200VatTvj=-55...175°C •IDDC=55AatTC=25°C •RDS(on)=40mΩatVGS=20V,Tvj=25°C •Newperformance-optimizedchiptechnology(Gen1p)withimprovedRDSon*AFOM •Increasedrecommendedturn-onvoltage(VGS(on)=20V)forlowerRDS(on) •Bestinclassswitc	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
AIMZHN120R040M1T	CoolSiC™1200VSiCTrenchMOSFET Features •VDSS=1200VatTvj=-55...175°C •IDDC=55AatTC=25°C •RDS(on)=40mΩatVGS=20V,Tvj=25°C •Newperformance-optimizedchiptechnology(Gen1p)withimprovedRDSon*AFOM •Increasedrecommendedturn-onvoltage(VGS(on)=20V)forlowerRDS(on) •Bestinclassswitc	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IMZA120R040M1H	CoolSiC??1200VSiCTrenchMOSFET:SiliconCarbideMOSFETwith.XTinterconnectiontechnology Features •VDSS=1200VatTvj=25°C •IDCC=55AatTvj=25°C •RDS(on)=39mΩatVGS=18V,Tvj=25°C •Verylowswitchinglosses •Shortcircuitwithstandtime3μs •Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.2V •Robustagainstparasiticturnon,0Vturn-offgatevoltageca	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司

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更新时间：2024-6-3 23:55:00

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深圳市星辰微电科技有限公司	IMW120R040M1H	Infineon	23+	PG-TO247-3	15500	英飞凌优势渠道全系列在售	询价
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原装正品现货供应0755-28892389/13713856319；QQ:2639752116；微信：13713856319；
2021-4-26
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2012-12-1

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