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IMBG120R022M2H

CoolSiC™1200VSiCMOSFETG2:SiliconCarbideMOSFET

Features •VDSS=1200VatTvj=25°C •IDDC=62AatTC=100°C •RDS(on)=21.6mΩatVGS=18V,Tvj=25°C •Verylowswitchinglosses •OverloadoperationuptoTvj=200°C •Shortcircuitwithstandtime2μs •Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.2V •Robustagainstparas

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
更新时间:2024-6-4 14:06:00
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