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IKWH100N65EH7

High speed and low saturation voltage 650 V TRENCHSTOP™ IGBT7 technology copacked with soft, fast recovery Emitter Controlled 7 diode

Features • VCE = 650 V • IC = 100 A • Low switching losses • Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat • Very soft, fast recovery antiparallel diode • Smooth switching behavior • Humidity robustness • Optimized for hard switching, two- and three-level topologies • Complete prod

Infineon

英飞凌

更新时间:2025-8-11 23:00:00
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Infineon(英飞凌)
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